[发明专利]新型声表面波用压电晶体的生长方法及专用挡片专用晶架

摘要

本发明涉及一种超厚Z向大于92mm新型声表面波用压电晶体的生长方法及该方法所用的专用挡片专用晶架。所述方法包括如下步骤：（1）籽晶的选取；（2）将选取的籽晶装到专用的挡片上；（3）将专用挡片绑在专用晶架上；（4）高压釜刷洗完成后，放入石英石和配置好的溶液；（5）将装挂好的晶架放入高压釜中并密封；（6）安装完成后，执行相应的温度控制工艺至停釜；其温度控制要求：升温时间24-30小时，此时压力达到125MPa，温差控制25度；第三天拉温差，每天一度，最大温差35度。本生长方法的一种Z向大于92mm新型声表面波用压电晶体，满足腐蚀隧道为F2、包裹体为一类的求，无应力和针刺等缺陷。

主权项

一种Z向大于92mm新型声表面波用压电晶体的生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）籽晶的选取：选取腐蚀隧道F1级Z0°籽晶；（2）将选取的籽晶装到专用的挡片上 ；所述挡片采用0.4‑0.6mm铁皮，其中，挡片Z向按要求尺寸加5mm； Y向以产品要求为准；X向为籽晶宽度与籽晶长到相关厚度时的和；（3）将专用挡片绑在专用晶架上 ；所述专用晶架一端连接专用挡片，另一端固定吊装架，晶架层间距为籽晶Y向长度装挂余量10‑20mm；（4）高压釜刷洗完成后，放入石英石和配置好的溶液 ，配比如下：氢氧化钠1.0摩尔浓度，碳酸钠0.05摩尔浓度，氢氧化锂0.05摩尔浓度，亚硝酸钠0.05摩尔浓度；（5）将装挂好的晶架放入高压釜中并密封；（6）安装完成后，执行相应的温度控制工艺至停釜；其温度控制要求：升温时间24‑30小时，此时压力达到125MPa，温差控制25度；第三天拉温差，每天一度，最大温差35度。