[发明专利]一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法

摘要

本发明涉及一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法，包括以下步骤：（1）培养基的配置（2）拟南芥的种植（3）镁胁迫处理方法：将拟南芥种子单粒成行种植在培养基上，将培养皿封口后置于4℃冰箱中处理2天；然后将培养皿竖直培养在温室中，培养条件是22℃±1℃，光强65uMm^-2s^-1，16h光照/8h黑暗；通过对镁胁迫培养基上生长28天的EMS突变株的形态特征观察，筛选性状优良的突变株，移栽到含有全部养分的蛭石中正常培养。本发明建立了科学合理的拟南芥镁胁迫培养体系，成功筛选到性状优良的镁毒害响应EMS突变体。本发明不仅为模式植物拟南芥提供了坚实的科研基础，也为未来农业应用高镁土壤生产粮食奠定理论基石。

主权项

一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法，其特征在于包括以下步骤：（1）培养基的配置：a、正常镁培养基：LM, 1.5 mM MgSO₄·7H₂O；b、镁毒害培养基：HM, 28 mM MgSO₄·7H₂O；c、含有不同浓度镁离子的培养基：在镁培养基基础上配置的含有不同浓度外源ABA的培养基； 其中添加2.0mM NH₄NO₃、1mM KH₂PO₄、1.9mM KNO₃、0.3mM CaCl₂.2H₂O、5μM KI、100μM H₃BO₃、30μM ZnSO₄.7H₂O、100μM MnSO₄.H₂O、1μM Na₂MoO₄.2H₂O、0.1μM CoCl₂.6H₂O、0.1μM CuSO₄.5H₂O、100μM FeSO₄.7H₂O或100μM Na₂EDTA.2H₂O；将上述培养基用1M的NaOH将PH调节至5.8，然后添加1%的琼脂粉，将配置好的培养基放在高压灭菌锅中115℃ 灭菌15分钟；（2）拟南芥的种植：A1：取适量拟南芥种子，倒入灭菌处理的1.5ml离心管中，加入70%乙醇涡旋振荡3min，吸除乙醇，然后，加入6% NaClO涡旋振荡8min，立即吸除，用无菌水清洗种子5遍，每遍2min，加入1.5ml无菌水静置10min，吸除后再水洗2遍，种子表面消毒完成；A2：用灭过菌的1ml枪头将种子根据需要均匀的点播在步骤（1）中的培养基上，将培养皿置于无菌操作台上吹干多余的水分，用Parafilm膜将培养皿封口后置于4℃冰箱中处理2天；A3：将培养皿置于22℃±1℃，光强65uM m‑2 s‑1，16h光照/8h黑暗的条件下竖直放置培养；（3）镁胁迫处理方法将用NaClO消毒后的拟南芥种子单粒成行种植在含有28mM Mg²⁺ 的镁毒害培养基上，用Parafilm膜将培养皿封口后置于4℃冰箱中处理2天；然后将培养皿放置在22℃±1℃，光强65uM m^‑2 s^‑1，16h光照/8h黑暗的温室中竖直培养；在镁胁迫突变体筛选过程中，以Col‑0为背景，通过对镁胁迫培养基上生长28天的EMS突变株的形态特征观察，筛选性状优良的突变株，移栽到含有全部养分的蛭石中正常培养，直至成熟接种子。