[发明专利]一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法，属于镁对植物的胁迫处理方法的技术领域。 

背景技术

镁离子是细胞中重要的两价阳离子。人们对缺镁引起的植物生理变化及其分子机制比较清楚。缺镁能引起淀粉和蔗糖等碳源在植物叶片中的积累，并且叶片中镁离子的浓度和蔗糖的浓度存在明显相反的趋势，不但能够调节蔗糖的代谢，并能够影响蔗糖的运输。高浓度的蔗糖能够抑制CAB2(编码叶绿素a/b蛋白)的表达，并且导致了叶绿素的降解和CO₂的同化。另外，镁缺乏会导致活性氧的积累，从而产生一系列活性氧伤害。 

虽然对缺镁生理的研究了解的比较透彻，但人们对镁毒害引起植物的生理变化及其机理却知之甚少，特别是镁毒害胁迫条件下的信号传导机制。镁毒害之所以难以研究，是因为植物吸收较多的镁离子后会调控镁离子的运输和贮存，浓度较高的镁离子会促进细胞外部的钙离子被镁离子所取代，细胞壁的稳定性和细胞质膜的渗透性等都会发生改变。 

基于这些困难，提出本发明。 

发明内容

针对现有的上述技术问题，本发明的目的是提供一种拟南芥的镁毒害胁迫处理方法，根据拟南芥在不同镁离子浓度下的生长状态，建立了拟南芥镁胁迫突变体筛选体系，采用该系统证明了拟南芥幼苗的形态至少是部分依赖于ABA-ABI1-DELLA的途径来响应镁毒害的。 

为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的： 

本发明拟南芥的镁毒害胁迫处理方法，包括以下步骤：

（1）培养基的配置：

a、正常镁培养基：LM, 1.5 mM MgSO₄·7H₂O；

b、镁毒害培养基：HM, 28 mM MgSO₄·7H₂O；

c、含有不同浓度镁离子的培养基：在镁培养基基础上配置的含有不同浓度外源ABA的培养基； 其中添加2.0mM NH₄NO₃、1mM KH₂PO₄、1.9mM KNO₃、0.3mM CaCl₂.2H₂O、5μM KI、100μM H₃BO₃、30μM ZnSO₄.7H₂O、100μM MnSO₄.H₂O、1μM Na₂MoO₄.2H₂O、0.1μM CoCl₂.6H₂O、0.1μM CuSO₄.5H₂O、100μM FeSO₄.7H₂O或100μM Na₂EDTA.2H₂O；

将上述培养基用1M的NaOH将PH调节至5.8，然后添加1%的琼脂粉，将配置好的培养基放在高压灭菌锅中115℃灭菌15分钟；

（2）拟南芥的种植：

A1：取适量拟南芥种子，倒入灭菌处理的1.5ml离心管中，加入70%乙醇涡旋振荡1min，吸除乙醇，然后加入6% NaClO涡旋振荡8min，立即吸除，用无菌水清洗种子5遍，每遍2min，加入1.5ml无菌水静置10min，吸除后再水洗2遍，种子表面消毒完成；

A2：用灭过菌的1ml枪头将种子根据需要均匀的点播在步骤（1）中的培养基上，将培养皿置于无菌操作台上吹干多余的水分，用Parafilm膜将培养皿封口后置于4℃冰箱中处理2天；

A3：将培养皿置于22℃±1℃，光强65uM m^-2 s^-1 ，16h光照/8h黑暗的条件下竖直放置培养；

（3）镁胁迫处理方法