[发明专利]像素结构及显示装置有效
申请号: | 201410256849.5 | 申请日: | 2014-06-10 |
公开(公告)号: | CN104020619B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 冯博;马禹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素结构及显示装置,其中像素结构包括衬底基板,及依次层叠于衬底基板上的公共电极、栅极绝缘层、钝化层和像素电极,还包括位于钝化层与栅极绝缘层之间的导电电极,导电电极位于像素电极与公共电极的重叠区域内,且与像素电极电连接,以与公共电极形成存储电容。上述像素结构的导电电极和像素电极共同与公共电极构成存储电容,导电电极与公共电极之间仅有栅极绝缘层这一层膜层,减小了构成存储电容的两部分之间的距离,从而提高了存储电容,改善了显示装置的显示性能。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 显示装置 | ||
【主权项】:
一种像素结构,包括:衬底基板,及依次层叠于所述衬底基板上的公共电极、栅极绝缘层、钝化层和像素电极,其特征在于,所述像素结构还包括:位于所述钝化层与所述栅极绝缘层之间的导电电极,所述导电电极位于所述像素电极与所述公共电极的重叠区域内,且与所述像素电极电连接,以与所述公共电极形成存储电容;所述钝化层位于所述像素电极与所述公共电极的重叠区域内的部分具有至少一个过孔,所述像素电极通过所述过孔与所述导电电极电连接,所述过孔为方孔,所述方孔的开口边长小于所述导电电极的宽度;所述导电电极与公共电极的形状和大小完全相同,并与公共电极完全重合。
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