[发明专利]晶体器件以及晶体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410253051.5 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104242861B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 早坂太一;水沢周一 | 申请（专利权）人： | 日本电波工业株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/125 | 分类号： | H03H9/125;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京涉谷区笹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少外部电极的含铅量、并且将抗跌落性及抗弯曲性维持得较高的晶体器件以及晶体器件的制造方法。晶体器件(100)包含晶体振动片(130)，以规定的频率进行振动；以及基板(120)，由玻璃或晶体材料形成，在底面形成用来安装晶体器件的外部电极(124)，在底面的相反侧一面载置晶体振动片。而且，外部电极包含金属膜(151)，通过溅镀而形成在基板的表面；以及无电镀膜(153)，通过无电镀而形成在金属膜的表面；并且无电镀膜包含含有铅及铋的镍层(153b)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体器件，其为表面安装型晶体器件；其特征在于包含：晶体振动片，以规定的频率进行振动；以及基板，由玻璃或晶体材料形成，在底面形成用来安装所述晶体器件的外部电极，在所述底面的相反侧一面载置所述晶体振动片；并且所述外部电极包含：金属膜，通过溅镀而形成在所述基板的表面；及无电镀膜，通过无电镀而形成在所述金属膜的表面；并且所述无电镀膜包含含有铅及铋的镍层，相对于所述镍层整体的体积的所述铅的含量为90ppm～470ppm，所述铋的含量为5600ppm～7000ppm。
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