[发明专利]一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法

摘要

一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD-MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD-MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD-MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。本发明采用二次沉积技术，实现双面IBAD-MgO薄膜的沉积，为开发双面带材，大幅度提高带材载流能力，降低成本提供了关键基础。

主权项

一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉积IBAD‑MgO薄膜；3)将金属保护层与基带底面分离，并在基带顶面的IBAD‑MgO薄膜表面覆盖金属保护层，然后在基带底面沉积IBAD‑MgO薄膜，得到双面沉积有IBAD‑MgO薄膜的基带；4)以双面沉积有IBAD‑MgO薄膜的基带作为基底，在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜；5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜。