[发明专利]一种半导体激光器的热管理装置在审
申请号: | 201410239521.2 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN105281198A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 杨晶;许祖彦;闫彪;彭钦军;许家林;高伟男;王伟伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体激光器的热管理装置,包括充有低熔点金属(3)的对流换热模块(2),半导体激光器(0)与对流换热模块(2)之间通过膨胀匹配导热层(1)实现热传递,对流换热模块(2)吸收热量后温度升高,通过高热导率金属外壳(200)和低熔点金属(3)进行散热。基于上述结构,避免了采用微通道水冷时,在水循环运行中长期运转导致的器件老化、腐蚀;同时解决了需要对水质与管道进行严格的控制和定期更换水的问题,并且大幅度提高了冷却效率,降低了装置体积和系统噪声,提高了装置可靠性与稳定性。可应用于半导体激光器,特别是高平均功率半导体激光阵列的热管理领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 管理 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器的热管理装置,其特征在于,包括一面与半导体激光器(0)相连接的膨胀匹配导热层(1),膨胀匹配导热层(1)的另一面与对流换热模块(2)连接;对流换热模块(2)中有熔点范围从‑10℃~60℃的低熔点金属(3);对流换热模块(2)包括热导率>100W.m‑1.K‑1的高热导率金属外壳(200)。
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