[发明专利]氨气浓度侦测方法和控制光刻工艺中图形CD的方法有效
| 申请号： | 201410239134.9 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105204294B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王清蕴;卢子轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/44;G01N33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氨气浓度侦测方法，用于侦测光刻机机台内部的氨气浓度，至少包括步骤S1，提供一晶圆，在晶圆上形成光阻；步骤S2，图形化光阻，形成光阻图形；其中，光阻图形具有至少一个受到光刻机机台内部的氨气影响的第一区域和至少一个未受到光刻机机台内部的氨气影响的第二区域，第一区域和第二区域均匀分布在晶圆上；步骤S3，选取至少一个第一区域和至少一个第二区域进行CD量测，得到至少一个第一CD和至少一个第二CD；步骤S4，根据第一CD和第二CD的尺寸差异，计算光刻机机台内部的氨气浓度。本发明采用量测CD的方法侦测光刻机机台内部的氨气浓度，对光刻机机台生产作业的影响降到了最低，可以经常进行侦测。 | ||
| 搜索关键词： | 氨气 浓度 侦测 方法 控制 光刻 工艺 图形 cd | ||
【主权项】：
一种氨气浓度侦测方法，用于侦测光刻机机台内部的氨气浓度，其特征在于，所述氨气浓度侦测方法至少包括：步骤S1，提供一晶圆，在所述晶圆上形成光阻；步骤S2，图形化所述光阻，形成光阻图形；其中，所述光阻图形具有至少一个受到所述光刻机机台内部的氨气影响的第一区域和至少一个未受到所述光刻机机台内部的氨气影响的第二区域，所述第一区域和所述第二区域均匀分布在所述晶圆上；步骤S3，选取至少一个所述第一区域和至少一个所述第二区域进行CD量测，得到至少一个第一CD和至少一个第二CD；步骤S4，根据所述第一CD和所述第二CD的尺寸差异，计算所述光刻机机台内部的氨气浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410239134.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：车身结构
- 下一篇：外环功率控制方法和设备
