[发明专利]一种二氧化硅/碳复合多孔电极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410232290.2 申请日: 2014-05-28
公开(公告)号: CN105280879A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 王宁;杨娟玉;卢世刚;闫坤;余章龙;王晗;于冰 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: H01M4/131 分类号: H01M4/131;H01M4/133;H01M4/1391;H01M4/1393;H01M4/48;H01M4/38
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青;熊国裕
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种二氧化硅/碳复合多孔电极及其制备方法。该复合多孔电极由二氧化硅与石墨添加剂复合而成,当二氧化硅在该复合多孔电极中所占的质量百分比为30~60%时,其微观结构中石墨添加剂颗粒形成连续相,二氧化硅均匀分布在石墨添加剂颗粒间隙中;当二氧化硅在该复合多孔电极中所占的质量百分比为60~90%时,其微观结构中二氧化硅形成连续相,石墨添加剂颗粒均匀分布在二氧化硅基体中。其制备方法为:将二氧化硅与分散剂混合制备成均匀的二氧化硅溶胶;然后将二氧化硅溶胶与石墨添加剂混合均匀制成混合浆料;再将混合浆料干燥粉碎成粉体,并将粉体制成成型坯料。本发明的二氧化硅/碳复合多孔电极具有高孔隙率的特点,电解后用水浸泡即可粉化,无需破碎。
搜索关键词: 一种 二氧化硅 复合 多孔 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种二氧化硅/碳复合多孔电极,其特征在于:该复合多孔电极由二氧化硅与石墨添加剂复合而成;二氧化硅在该复合多孔电极中所占的质量百分比为30~60%;其微观结构中石墨添加剂颗粒形成连续相,二氧化硅均匀分布在石墨添加剂颗粒间隙中。
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