[发明专利]异质结发光二极管有效
| 申请号： | 201410231720.9 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104218126B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈自强;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及异质结发光二极管。一种用于形成发光器件的方法包括在单晶衬底上形成Ⅲ‑Ⅴ单晶发射层以及在所述发射层上形成第一掺杂层。在所述第一掺杂层上沉积第一接触。通过机械方法从所述发射层去除所述单晶衬底。在所述发射层的去除所述衬底的一侧上形成第二掺杂层。所述第二掺杂层具有与所述第一掺杂层相反的掺杂剂导电性。在所述第二掺杂层上沉积第二接触。 | ||
| 搜索关键词： | 结发 二极管 | ||
【主权项】：
一种形成发光器件的方法，所述方法包括：在单晶衬底上形成Ⅲ‑Ⅴ单晶发射层；在所述发射层上形成第一掺杂层；在所述第一掺杂层上沉积第一接触；在沉积所述第一接触之后通过机械方法从所述发射层去除所述单晶衬底；在所述发射层的去除所述衬底的一侧上形成第二掺杂层，所述第二掺杂层具有与所述第一掺杂层相反的掺杂剂导电性；以及在所述第二掺杂层上沉积第二接触。
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