[发明专利]一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410230353.0 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103985816A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 翟章印;姜昱丞;付浩 | 申请（专利权）人： | 淮阴师范学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 陈静巧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底，采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜，再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极，并连接电压触发器，制备成本器件。本器件在室温下，存在高低两种电阻态，电阻开关现象极为明显，可通过简单的脉冲电压进行写入，通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强，结构简单、稳定、耐振动，工艺简洁、环保无污染，原材料价格低廉，易回收重复利用等优越性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 非晶碳膜 纳米 薄膜 记忆 电阻 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器，其特征在于：该纳米薄膜记忆电阻存储器的结构是：铁掺杂的非晶碳(a‑C:Fe)膜镀于作为衬底的绝缘石英玻璃(SiO2)基片上，铁掺杂的非晶碳膜两端镀有两个铝(Al)层，作为电极，电极接线连通电压触发器构成。
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