[发明专利]一种AMOLED像素结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410229307.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104134424A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 敬启毓;李莉莉 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32;H01L27/32 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的AMOLED像素结构包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。有益效果在于，通过将存储电容器置于电源线VDD之下，缩小了基本像素驱动电路面积，增大底发射AMOLED器件开口率，有利改善器件的功耗效率和寿命。通过上述方案，如果能够通过优化薄膜晶体管的存储电容，来缩小像素电路的尺寸大小，且不影响像素电路的驱动性能，将会增加像素开口率，改善器件功耗效率及寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 amoled 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种AMOLED像素结构，包括像素发光区域，电源线VDD、扫描线SCAN、数据线DATA、开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，其特征在于，电源线VDD金属形成所述存储电容器的上电极，位于电源线VDD金属正下方包括对应的金属层作为存储电容器的下电极，上电极与下电极之间包括间隔介质ILD。
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