[发明专利]一种改善硅晶片机械性能的方法

摘要

本发明涉及半导体晶片技术领域，具体为一种改善半导体硅晶片机械性能的方法。本发明方法包括如下步骤：选择工业用FZ或CZ方法得到的硅晶片，对所述硅晶片彻底清洗；将所述硅晶片置于一定压强的含氮密闭气体氛围中；在所述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅片。使用该方法得到的硅晶片，由于氮元素的超饱和重掺杂作用，氮元素聚集在硅晶片位错周围，形成团簇或复合物。所述团簇与复合物间具有强烈的相互作用并将位错锁定，达到增强该硅片机械性能的目的。同时，由于氮元素的超饱和重掺杂的效果，使得硅晶片中的氧含量减少，提高产品良率。

主权项

 一种改善半导体硅晶片机械性能的方法，其特征在于具体步骤如下：步骤1：选择本征硅晶片、N型掺杂硅晶片、P型掺杂硅晶片或者绝缘衬底上的硅晶片，对所选硅晶片进行清洗，清除晶片表面的有机表面膜、杂质粒子和金属玷污；步骤2：将清洗干净的上述硅晶片，立即置于密闭的含氮元素气体的氛围中，该气体氛围的压强为60~80 KPa；步骤3：在上述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅晶片，得到掺杂含有超饱和氮元素的硅片。