[发明专利]一种多晶硅薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201410224269.8 | 申请日: | 2014-05-26 |
公开(公告)号: | CN104022170A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 徐伟;沈启群 | 申请(专利权)人: | 无锡中能晶科新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,包括具有多层结构的壳体,壳体内最底部设有衬底,在所述衬底上依次设有减反膜、p+/n+型多晶硅籽晶层、p-/n-型多晶硅吸收层、n+/p+型a-Si:H发射层以及TCO玻璃;所述的壳体外最上端设有多个用于接触的前电极。本发明采用n+/p-/p+型的基本结构单元,在发射区使用了重掺杂工艺,发射区重掺杂能够形成顶层浅结重掺杂,大大提高了太阳能电池的能量转换效率,节约了成本;该电池还具有结构简单,制造工艺简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,包括具有多层结构的壳体(1),壳体内最底部设有衬底(2),在所述衬底(2)上向上依次设有减反膜(3)、p+/n+ 型多晶硅籽晶层(4)、p‑/n‑型多晶硅吸收层(5)、n+/p+型a‑Si:H发射层(6)以及TCO玻璃(7);所述的壳体外最上端设有多个前电极(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的