[发明专利]一种低频驱动型白光LED芯片及其封装方法和制造方法

摘要

本发明涉及一种低频驱动型LED芯片及其封装方法和制造方法，其特征在于，所述LED芯片包括蓝光或紫光或紫外LED芯片以及设置在所述蓝光或紫光或紫外LED芯片上的发光涂层，其中，所述发光涂层采用的发光材料为蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B的组合，并且所述蓝色余辉发光材料A是Sr4Al14O25Eu2+，Dy3+、CaSBi3+，Na+、CaSCu+，Na+或CaSrSBi3+中的至少一种，所述黄色发光材料B是Y2O3·Al2O3·SiO2Ce·B·Na·P、Tb3Al5O12Ce、Y2O2SMg，Ti、Sr3SiO5Eu2+，Dy3+、CaSSm3+、YAGCe或TAGCe中的至少一种，所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10～70wt％30～90wt％，在提供未经整流成直流电的交流电的情况下，所述发光材料能够与所述蓝光或紫光或紫外LED芯片配合发出低频闪的光线。

主权项

一种白光LED芯片的封装方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：选取蓝光或紫光或紫外LED芯片；在所述蓝光或紫光或紫外LED芯片上设置发光涂层，所述发光涂层采用的发光材料为蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B的组合，并且所述蓝色余辉发光材料A是：Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种，所述黄色发光材料B是：Y2O3·A12O3·SiO2:Ce·B·Na·P，或者Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种与Y2O3·A12O3·SiO2:Ce·B·Na·P的组合，所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10～70wt％:30～90wt％，在直接提供未经整流成直流电的交流市电的情况下，所述发光涂层能够与所述蓝光或紫光或紫外LED芯片配合发出低频闪的光线；在所述蓝光或紫光或紫外LED芯片上设置电极。