[发明专利]清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法在审
| 申请号： | 201410218925.3 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105087184A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新;胡春周;黄晓辉;宋立军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/18 | 分类号： | C11D7/18;C11D7/08;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。其中，该清洗试剂包括H2O、H2SO4和H2O2，其中H2O、H2SO4、H2O2的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法包括：配制本申请提供的清洗试剂；将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触，清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。本申请提供的清洗试剂能够十分有效地去除刻蚀残留物，并且该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率，从而避免了清洗试剂对芯片的损害，提高了半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 试剂 半导体器件 刻蚀 残留物 方法 金属 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种清洗试剂，其特征在于，所述试剂包括H2O、H2SO4和H2O2，其中H2O、H2SO4、H2O2的体积比为100：1.24～5：0.3～1.6。
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