[发明专利]磁场调控LED发光亮度的复合结构及制作方法有效
| 申请号: | 201410208553.6 | 申请日: | 2014-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN105098000B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
| 发明(设计)人: | 翟俊宜;彭铭曾 | 申请(专利权)人: | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 李婉婉,张苗 |
| 地址: | 100083 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种磁场调控LED发光亮度的复合结构及制作方法,该复合材料结构由磁致伸缩材料基底和LED叠层薄膜材料组成,以磁致伸缩材料为基底,通过中间接触层将两者形成统一整体,其中所述LED叠层薄膜材料依次为极性衬底、缓冲层、n型导电层、应变有源区、p型电子阻挡层和p型导电层。在外界磁场作用下,通过磁致伸缩材料基底的应力/应变来调控LED叠层薄膜材料中应变有源区的发光效率,从而实现LED发光亮度连续可调的功能。本发明提出的复合结构新颖,且制作方法简单易行,有利于新型磁‑力‑电‑光器件与系统集成,将应用于可调光显示、磁力传感成像、自驱动传感器网络、磁力电光一体化系统等领域。 | ||
| 搜索关键词: | 磁场 调控 led 发光 亮度 复合 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
一种磁场调控LED发光亮度的复合结构,其特征在于,包括:磁致伸缩材料的基底;设置在所述基底上的中间接触层;设置在所述中间接触层上的LED叠层薄膜材料;其中,在磁场作用下,所述基底发生磁致伸缩形变,对所述LED叠层薄膜材料的应变有源区施加应力/应变作用,从而调控LED的发光强度。
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