[发明专利]一种离子注入剂量的检测方法

摘要

本发明提供一种离子注入剂量的检测方法，所述离子注入剂量的检测方法至少包括以下步骤：提供裸晶圆，并在所述裸晶圆上制备氧化物层及多晶硅层；然后在多晶硅层表面注入离子，形成掺杂层；再对所述掺杂层进行蚀刻；最后计算蚀刻速率，根据所述蚀刻速率计算离子注入剂量。本发明的离子注入剂量的检测方法利用稀氨水对离子注入形成的掺杂层进行湿法蚀刻，通过测量蚀刻厚度得到蚀刻的速率，而蚀刻速率与离子注入剂量之间存在一定的对应关系，通过蚀刻速率的变化即可检测到离子注入剂量，该方法操作简单、价格便宜，同时避免对被测晶圆造成破坏性测量。

主权项

一种离子注入剂量的检测方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一、提供裸晶圆，并在所述裸晶圆表面形成氧化物层以及在所述氧化物层表面沉积多晶硅层；步骤二、对所述多晶硅层进行离子注入，形成掺杂层；步骤三、对所述掺杂层进行蚀刻；步骤四、计算蚀刻速率，根据所述蚀刻速率计算离子注入剂量。