[发明专利]用于集成电路产品的密集封装的标准单元及其制法有效
| 申请号： | 201410203130.5 | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104157604B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | M·拉希德;J·金;邓云飞;S·文卡特桑 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8234;H01L23/48;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于集成电路产品的密集封装的标准单元及其制法，揭露一种方法，包括在由隔离区隔开的相邻有源区中及上方形成第一及第二晶体管装置，其中，所述晶体管包括源/漏区以及共享栅极结构，形成跨越该隔离区并接触所述晶体管的所述源/漏区的连续导电线，以及蚀刻该连续导电线以形成分离的第一及第二单元导电源/漏接触结构，该第一及第二单元导电源/漏接触结构分别接触该第一及第二晶体管的所述源/漏区。本发明揭露一种装置，包括栅极结构，多个源/漏区，第一及第二单元导电源/漏接触结构，各该第一及第二单元导电源/漏接触结构分别接触所述源/漏区的其中一个，以及第一及第二通孔，分别接触该第一及第二单元导电源/漏接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 产品 密集 封装 标准 单元 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在由半导体衬底中形成的隔离区隔开的相邻第一及第二有源区中及上方形成第一及第二晶体管装置，该第一及第二晶体管包括至少一个源/漏区以及共享栅极结构；形成跨越该隔离区的连续导电线，其中，该连续导电线接触各该第一及第二晶体管的该至少一个源/漏区；以及在该至少一条连续导电线上通过图案化掩膜层执行蚀刻工艺，以形成分离的第一及第二单元导电源/漏接触结构，其中，该第一单元导电源/漏接触结构仅接触该第一晶体管的该至少一个源/漏区，该第二单元导电源/漏接触结构仅接触该第二晶体管的该至少一个源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
