[发明专利]TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置有效
| 申请号： | 201410202980.3 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104181711B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 井上胜;佐佐木邦彦;栗原直;久米康仁 | 申请（专利权）人： | 东阳特克尼卡株式会社;夏普株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艳君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)‑漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。 | ||
| 搜索关键词： | tft 液晶面板 物理性质 测量方法 测量 装置 | ||
【主权项】：
一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其特征在于，具有：对所述TFT液晶面板(4，400)中的TFT(4A，400A)的栅极(41A、410A)施加规定值的电压的步骤(步骤S21、步骤S31)；向所述TFT液晶面板(4，400)中的液晶层(4B，400B)中写入脉冲电压，且将所述TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)的电位保持为地电平的步骤(步骤S22、步骤S32)；检测出写入了所述脉冲电压的所述液晶层(4B，400B)的电位的变化而测量所述液晶层(4B，400B)中的电压保持率的步骤(步骤S23、步骤S33)，所述液晶层(4B、400B)中的液晶分子被电场驱动，该电场由利用所述TFT(4A，400A)驱动的像素电极(4D，400D)、与该像素电极(4D，400D)对应地设置的共用电极(4C、400C)形成，对所述共用电极施加脉冲电压。
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