[发明专利]一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法有效

专利信息
申请号: 201410199606.2 申请日: 2014-05-13
公开(公告)号: CN103954918B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 王会武;刘全胜;王镇;谢晓明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01R33/035 分类号: G01R33/035
代理公司: 上海智信专利代理有限公司31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法,其特征在于是将二阶多环结构的SQUID梯度芯片与电感线圈集成在一起构成可使用直读电路的二阶多环结构超导自举(Superconducting Bootstrap Circuit,SBC)SQUID梯度计,所构筑的此类器件可以利用直读电路来读出器件输出信号,而且由于器件是由宽度很窄的超导薄膜线条构成,降低了地球环境磁场对器件磁通陷入的影响,并且器件仅对二阶梯度磁场有响应,对磁场和一阶梯度磁场不敏感,这些特点大大提高了其在无屏蔽环境磁场中的适应能力和工作稳定性,使其在微弱磁测量中具有极大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 sbc 超导 量子 干涉 梯度 制作方法
【主权项】:
一种二阶SBC超导量子干涉梯度计,将二阶多环结构SQUID梯度芯片与电感线圈集成一起构成使用直读电路的二阶多环结构超导自举SQUID梯度计,其特征在于:①二阶多环结构的超导环是由多个超导环并联构成;并联的多环结构使用电感较大的超导环和/或感应面积较大的超导环,超导薄膜是窄条形状,超导环的宽度为10微米量级;②二阶多环结构是相邻超导环的绕行方向设计为相反的方向。
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