[发明专利]一种二阶SBC超导量子干涉梯度计及制作方法有效

专利信息
申请号: 201410199606.2 申请日: 2014-05-13
公开(公告)号: CN103954918B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 王会武;刘全胜;王镇;谢晓明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01R33/035 分类号: G01R33/035
代理公司: 上海智信专利代理有限公司31002 代理人: 潘振甦
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 sbc 超导 量子 干涉 梯度 制作方法
【权利要求书】:

1.一种二阶SBC超导量子干涉梯度计,将二阶多环结构SQUID梯度芯片与电感线圈集成一起构成使用直读电路的二阶多环结构超导自举SQUID梯度计,其特征在于:

①二阶多环结构的超导环是由多个超导环并联构成;并联的多环结构使用电感较大的超导环和/或感应面积较大的超导环,超导薄膜是窄条形状,超导环的宽度为10微米量级;

②二阶多环结构是相邻超导环的绕行方向设计为相反的方向。

2.按权利要求1所述的梯度计,其特征在于:二阶梯度的SBC SQUID器件中设计为4个超导环并联,其中左上角和右下角的超导环的绕行方向一致,左下角和右上角的超导环的绕行方向一致,而相邻超导环之间的绕行方向相反。

3.按权利要求1或2所述的梯度计,其特征在于当均匀磁场通过4个超导环时,磁场在两个不相邻的超导环中产生的磁通数值与其余两个不相邻的超导环产生的磁通值相同,但方向相反。

4.按权利要求3所述的梯度计,其特征在于当梯度计中超导环数目是4的倍数时,构成二阶梯度计。

5.按权利要求1所述的梯度计,其特征在于SBC SQUID梯度计的支路中的电感是由位于器件右上角超导环中多匝线圈构成,电极B2和B3是电感的两端电极;电阻R由外加电阻构成,电阻数值在器件调试参数时确定;B1和B2两电极是SBC SQUID的两端电极。

6.按权利要求1所述的梯度计,其特征在于为使SQUID器件稳定工作的辅助部件调制和反馈线圈是由M+、M-两端之间的线圈确定,将读出电路的反馈通过这个线圈耦合到器件中以稳定器件的工作点、加热电阻是由H+、H-两端之间的金属薄膜确定,它起到在低温环境下对器件加热以排除器件中的磁通的作用;也集成到SBC SQUID梯度计的设计之中。

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