[发明专利]一种动态预充控制电路和闪存存储系统有效
申请号: | 201410199017.4 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN103956187B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 陈晓璐 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬,邓猛烈 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种动态预充控制电路和闪存存储系统,所述动态预充控制电路包括控制单元和预充电单元,所述预充电单元通过位线与一负载连接,所述控制单元用于控制所述预充电单元对负载的预充电状态,所述预充电单元用于根据所述控制单元的控制自适应的对负载进行预充电或关断对负载的预充电。本发明提供的动态预充控制电路和闪存存储系统实现了根据负载的预充电状态调整预充电时间,使得预充控制电路与负载实现自适应预充电。 | ||
搜索关键词: | 一种 动态 控制电路 闪存 存储系统 | ||
【主权项】:
一种动态预充控制电路,包括控制单元和预充电单元,所述预充电单元通过位线与一负载连接,其特征在于,所述控制单元用于控制所述预充电单元对负载的预充电状态;所述预充电单元用于根据所述控制单元的控制自适应的对负载进行预充电或关断对负载的预充电;所述控制单元包括第一控制端、第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和第一PMOS管,所述第一控制端与所述第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的源极与所述反相器的输入端和所述预充电单元的中点连接,所述第一NMOS管的漏极接地,所述第二NMOS管的栅极与所述第一控制端连接,所述第二NMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接,所述第二NMOS管的漏极接地,所述反相器的输入端与所述预充电单元连接,所述反相器的输出端与所述第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的源极与电源连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司,未经北京兆易创新科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410199017.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三网合一用综合电缆
- 下一篇:一种药物缓释纳米纤维的制备方法