[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池钝化层前期处理方法有效

专利信息
申请号: 201410196467.8 申请日: 2014-05-12
公开(公告)号: CN105097984A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 陈金元;吴科俊;胡宏逵 申请(专利权)人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司;理想能源设备(上海)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种硅基异质结太阳能电池钝化层前期处理的方法,通过在硅片的清洗制绒步骤后增加等离子体刻蚀的方法,将硅片表面形成的自然氧化物或者其它杂质清除掉,并且同时对硅片的金字塔绒面结构的纳米尺寸尖端进行微刻蚀处理,使其恢复光滑圆润的形貌,最后在不破真空的条件下完成钝化层工艺,避免了中间的二次污染,从而改善非晶硅钝化层的钝化效果,保证钝化质量,最终提高了电池的转换效率。
搜索关键词: 一种 硅基异质结 太阳能电池 钝化 前期 处理 方法
【主权项】:
一种硅基异质结太阳能电池钝化层前期处理方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:第一步,对硅片进行清洗和绒面制备,以获得表面为金字塔绒面结构的洁净硅片;第二步,在第一真空腔内对所述硅片进行等离子体刻蚀,用以去除所述硅片表面的污染物并且使所述硅片的表面能够恢复呈现上述第一步结束时的金字塔绒面结构,所述污染物包括自然氧化层和其它杂质;第三步,在与所述第一真空腔实现真空连接的第二真空腔内对所述硅片进行非晶硅钝化层制备。
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