[发明专利]一种平面靶材的磁场结构及其使用方法有效
| 申请号： | 201410186271.0 | 申请日： | 2014-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN103966567A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘晓伟;丁向前;刘耀;李梁梁;白金超 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面靶材的磁场结构及其使用方法，其中平面靶材的磁场结构包括：第一级磁铁阵列和第二级磁铁阵列，且第一级磁铁阵列和第二级磁铁阵列相互垂直，第一级磁铁阵列通电，第二级磁铁阵列断电，形成平行于靶材的一级刻蚀跑道；第二级磁铁阵列通电，第一级磁铁阵列断电，形成垂直于一级刻蚀跑道的二级刻蚀跑道。在原有一级磁铁阵列的基础上增加与其相互垂直的磁铁阵列，两级磁铁阵列通过交替地进行左右移动和上下移动，用第二级磁铁阵列对第一级磁铁阵列的刻蚀盲区进行刻蚀，避免一次刻蚀存在死角以及磁场不均匀导致的靶材利用率较低问题的出现，提高刻蚀均匀性以及靶材的利用率，同时还能避免两极磁场相互影响产生的串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 磁场 结构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种平面靶材的磁场结构，其特征在于，包括：第一级磁铁阵列和第二级磁铁阵列，且第一级磁铁阵列和第二级磁铁阵列相互垂直，第一级磁铁阵列通电，第二级磁铁阵列断电，形成平行于靶材的一级刻蚀跑道；第二级磁铁阵列通电，第一级磁铁阵列断电，形成垂直于一级刻蚀跑道的二级刻蚀跑道。
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