[发明专利]制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路有效
| 申请号： | 201410178089.0 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104134688B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 埃弗利娜·格里德莱特;约翰尼斯·唐克斯;皮特鲁斯·马尼;菲特·丁;托尼·范胡克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括提供包括集电极区的半导体衬底；在半导体衬底上形成基极区；在基极区的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层；在刻蚀保护层和基极区上形成基极接触层；在基极区上形成电绝缘层；在电绝缘层形成之后形成的结构中刻蚀开口，所述开口包括使刻蚀保护层的至少一部分外露的发射极窗口部分以及与发射极窗口部分相邻的延伸通过基极区、基极接触层并且进入集电极区的场板沟槽部分；利用电绝缘材料对所述开口加衬里；使所述发射极区外露；以及用导电材料填充所述加衬里的开口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括这种双极晶体管的IC。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 双极晶体管 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括：提供包括集电极区(11)的半导体衬底(10)；在半导体衬底上形成基极区(30)；在基极层的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层(32，34)；在刻蚀保护层和基极层上形成基极接触层(35)；在基极层上形成电绝缘层(60)；在电绝缘层形成之后形成的结构中刻蚀开口(70)，所述开口包括使刻蚀保护层的至少一部分外露的发射极窗口部分(72)以及与发射极窗口部分相邻的延伸通过基极层、基极接触层和衬底一部分的场板沟槽部分(74)；利用电绝缘材料对所述开口加衬里；使所述发射极区外露；以及用导电材料填充所述加衬里的开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410178089.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：FinFET及其制造方法
- 下一篇：基于补偿结构的超结结构半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
