[发明专利]横向功率半导体器件和用于制造横向功率半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410177306.4 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104134692B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | A·毛德;N·西森;R·威斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张宁 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 横向功率半导体器件包括半导体主体、第一主电极、第二主电极、多个可切换半导体单元和至少一个弯曲半导体部分，该半导体主体具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一主电极包括至少两个分区并且布置在所述第一表面上。第二主电极布置在所述第一表面上并且在所述第一主电极的两个分区之间。多个可切换半导体单元布置在所述第一主电极和所述第二主电极的两个分区的相应分区之间，并且配置成在所述第一主电极和所述第二主电极之间提供可控导电路径。弯曲半导体部分在所述第一主电极和所述第二主电极之间，并且从所述第一主电极到所述第二主电极具有增加的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 功率 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向功率半导体器件，包括：半导体主体，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一主电极，包括布置在所述第一表面上的至少两个分区；第二主电极，布置在所述第一表面上并且在所述第一主电极的两个分区之间；多个可切换半导体单元，布置在所述第一主电极的两个分区中的相应分区和所述第二主电极之间，并且配置成在所述第一主电极和所述第二主电极之间提供可控导电路径；以及至少一个弯曲半导体部分，在所述第一主电极和所述第二主电极之间，具有从所述第一主电极到所述第二主电极增加的掺杂浓度。
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