[发明专利]一种电容器陶瓷介质材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410176882.7 申请日: 2014-04-29
公开(公告)号: CN103964842A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 郝华;孟卓;刘韩星;罗俊波;曹明贺;尧中华;余志勇 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种高介电常数高温度稳定无铅电容器陶瓷介质材料及其制备方法。其组成包含基质成分和掺杂成分,基质成分为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3-(1-x)BaTiO3,x=0.18;掺杂的Bi2O3占基质成分质量分数的10%~20%,Nb2O5占基质成分质量分数的2%~3%。通过掺杂Nb2O5和Bi2O3使Bi(Zn2/3Nb1/3)O3-BaTiO3体系电容器陶瓷材料烧结温度不超过1050℃,介温谱在-35~200℃容温变化率在±250ppm之间,介电常数保持在650以上,增大了材料的介电常数同时保持了高的温度稳定性,具有较小的电容温度系数。且相比于其他含稀土类的的体系,其成本已经相当低廉。
搜索关键词: 一种 电容器 陶瓷 介质 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种CK电容器陶瓷介质材料,其特征在于组成包含基质成分和掺杂成分,所述的基质成分为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑(1‑x)BaTiO3,x=0.18;所述的掺杂成分为Bi2O3和Nb2O5
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410176882.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top