[发明专利]一种双电源多晶硅铸锭工艺在审
申请号: | 201410176383.8 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103898603A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 李俊军;章勇;黄涛明 | 申请(专利权)人: | 南通综艺新材料有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
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地址: | 226000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种双电源多晶硅铸锭工艺,包括装料填料、抽真空、熔化保温、长晶、退火和降温,其特征在于:所述熔化保温至退火过程中,采用双电源多晶硅铸锭炉,所述多晶硅铸锭炉的加热室顶部和侧面分别设有加热器,所述加热器分别电连接有变压器,其顶部热场变压器功率P1与侧面热场变压器功率P2根据自适应控制器调节。本发明通过对长晶过程中温度梯度的精确控制来提高长晶质量,从而使多晶硅铸锭加工生成的电池片的光电转换效率提高0.1%以上;通过对温度的精确控制和能源的合理分配,减少不必要的能源损耗,使耗电量降低10%。 | ||
搜索关键词: | 一种 双电源 多晶 铸锭 工艺 | ||
【主权项】:
一种双电源多晶硅铸锭工艺,其特征在于:包括装料填料、抽真空、熔化保温、长晶、退火和降温,其特征在于:所述熔化保温至退火过程中,采用双电源多晶硅铸锭炉,所述多晶硅铸锭炉的加热室顶部和侧面分别设有加热器,所述加热器分别电连接有变压器,其顶部热场变压器功率 P1 与侧面热场变压器功率 P2 的调节按照以下工艺进行 :(1)熔化保温 :先采用功率控制模式,通过自适应系统分配功率 P1 :P2=1 :1,使得石英坩埚内温度达到多晶硅料的熔化温度,然后采用温度控制模式,通过自适应系统分配功率P1 :P2=1 :2 ~ 3.5,控制熔化温度不变进行保温,直至多晶硅料完全熔化 ;(2)长晶 :在长晶过程中,通过自适应系统分配功率 P1 :P2=1 :1 ~ 2.25 ;(3)退火 :在退火过程中,通过自适应系统分配功率 P1 :P2=1 :1 ~ 2.5。
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