[发明专利]一种硅异质结太阳电池的制绒方法

摘要

一种硅异质结太阳电池的制绒方法。该方法对太阳电池的单晶硅片实行两步制绒的工艺，在硅片表面形成3-10μm的圆滑金字塔结构、去除了硅片表面的金属离子残留，实现了形貌以及电学特性的修饰。该方法可以有效的降低硅片表面在400-1200nm波长范围内的反射率，提高了电池输出特性，且其制备方法简单，易于实施。

主权项

一种硅异质结太阳电池制绒方法，包括硅片预处理、去损伤层和两步法制绒，其特征是所述硅片预处理方法为按丙酮‑水‑无水乙醇‑水的顺序对硅片表面进行清洗；所述的去损伤层的方法为将预处理后的硅片在1%‑3%的无机碱液中80℃下搅拌浸泡10min后去离子水清洗；所述的两步法制绒的第一步为去损伤层后的硅片放入质量浓度配比为1‑3%的无机碱、0.5‑2%的NaSiO₃、6%的异丙醇（IPA）的混合溶液中，75~85℃下，制绒35~45min，然后去离子水冲洗3min，第二步为所述第一步处理之后的硅片放入质量浓度配比为2‑5%的有机碱、9‑11%的IPA中，75~85℃下，制绒3~10min，然后采去离子水冲洗3min，最后采用RCA清洗法清洗硅片表面。