[发明专利]具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法有效

专利信息
申请号: 201410172440.5 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN103915991B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 刘树林;周闵阳光;雷泰;韩跃云;祁俐俐;韩长端;王玉婷 申请(专利权)人: 西安科技大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/155
代理公司: 西安创知专利事务所61213 代理人: 谭文琰
地址: 710054 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法,开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1,耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极相接,耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极相接。方法包括步骤一、选择合适参数的极性电容C1以及电阻R1、R2和R3,二、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1、二极管D1、电阻R2和R3。本发明增强了耗尽型开关器件关断的快速性、可靠性及实用性。
搜索关键词: 具有 rcd 网络 耗尽 器件 开关电路 设计 方法
【主权项】:
一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法,所述开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与N沟道增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极相接,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极为所述开关电路的输出端OUT,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极相接,所述N沟道增强型开关器件Q2的栅极与外部PWM驱动电路(1)的输出端相接,且与电阻R1的另一端和极性电容C1的正极相接,所述N沟道增强型开关器件Q2的源极接所述开关电路中的参考地;还包括电阻R2和电阻R3,所述电阻R2的一端和电阻R3的一端均与所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极、N沟道增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极的连接端相接,所述电阻R2的另一端与所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极相接,所述电阻R3的另一端接所述开关电路中的参考地;其特征在于该方法包括以下步骤:步骤一、选择合适参数的极性电容C1以及电阻R1、电阻R2和电阻R3,具体过程如下:步骤101、根据公式选取极性电容C1的容值,其中,CQ1为所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1栅源极间的寄生电容,CQ2为所述N沟道增强型开关器件Q2漏源极间的寄生电容;步骤102、根据公式R1<(1‑dmax)T/3C1选取电阻R1的阻值,其中,dmax为外部PWM驱动电路(1)输出的PWM信号的最大占空比,T为外部PWM驱动电路(1)输出的PWM信号的周期;步骤103、根据公式公式IR3>>IDSS和公式R2=R3(Vi,max‑VR3)/VR3选取电阻R2的阻值和电阻R3的阻值,其中,Vi,max为所述开关电路能够承受的最大电压,VR3为电阻R3上的压降且VR3小于外部PWM驱动电路(1)输出的高电平的电压,IR3为流过电阻R3的电流,IDSS为所述N沟道增强型开关器件Q2的漏源电流;步骤二、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1、二极管D1、电阻R2和电阻R3,具体过程如下:步骤201、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极、N沟道增强型开关器件Q2的漏极、二极管D1的阴极、电阻R2的一端和电阻R3的一端;步骤202、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极;步骤203、将所述N沟道增强型开关器件Q2的栅极、电阻R1的另一端和极性电容C1的正极连接后再连接到外部PWM驱动电路(1)的输出端;步骤204、连接所述电阻R2的另一端和所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极;步骤205、将所述N沟道增强型开关器件Q2的源极和所述电阻R3的另一端连接到所述开关电路中的参考地。
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