[发明专利]具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法有效
申请号: | 201410172440.5 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN103915991B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 刘树林;周闵阳光;雷泰;韩跃云;祁俐俐;韩长端;王玉婷 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M3/155 |
代理公司: | 西安创知专利事务所61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法,开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1,耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极相接,耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极相接。方法包括步骤一、选择合适参数的极性电容C1以及电阻R1、R2和R3,二、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1、二极管D1、电阻R2和R3。本发明增强了耗尽型开关器件关断的快速性、可靠性及实用性。 | ||
搜索关键词: | 具有 rcd 网络 耗尽 器件 开关电路 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法,所述开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与N沟道增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极相接,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极为所述开关电路的输出端OUT,所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极相接,所述N沟道增强型开关器件Q2的栅极与外部PWM驱动电路(1)的输出端相接,且与电阻R1的另一端和极性电容C1的正极相接,所述N沟道增强型开关器件Q2的源极接所述开关电路中的参考地;还包括电阻R2和电阻R3,所述电阻R2的一端和电阻R3的一端均与所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极、N沟道增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极的连接端相接,所述电阻R2的另一端与所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极相接,所述电阻R3的另一端接所述开关电路中的参考地;其特征在于该方法包括以下步骤:步骤一、选择合适参数的极性电容C1以及电阻R1、电阻R2和电阻R3,具体过程如下:步骤101、根据公式选取极性电容C1的容值,其中,CQ1为所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1栅源极间的寄生电容,CQ2为所述N沟道增强型开关器件Q2漏源极间的寄生电容;步骤102、根据公式R1<(1‑dmax)T/3C1选取电阻R1的阻值,其中,dmax为外部PWM驱动电路(1)输出的PWM信号的最大占空比,T为外部PWM驱动电路(1)输出的PWM信号的周期;步骤103、根据公式公式IR3>>IDSS和公式R2=R3(Vi,max‑VR3)/VR3选取电阻R2的阻值和电阻R3的阻值,其中,Vi,max为所述开关电路能够承受的最大电压,VR3为电阻R3上的压降且VR3小于外部PWM驱动电路(1)输出的高电平的电压,IR3为流过电阻R3的电流,IDSS为所述N沟道增强型开关器件Q2的漏源电流;步骤二、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1、二极管D1、电阻R2和电阻R3,具体过程如下:步骤201、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极、N沟道增强型开关器件Q2的漏极、二极管D1的阴极、电阻R2的一端和电阻R3的一端;步骤202、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极;步骤203、将所述N沟道增强型开关器件Q2的栅极、电阻R1的另一端和极性电容C1的正极连接后再连接到外部PWM驱动电路(1)的输出端;步骤204、连接所述电阻R2的另一端和所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1的漏极;步骤205、将所述N沟道增强型开关器件Q2的源极和所述电阻R3的另一端连接到所述开关电路中的参考地。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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