[发明专利]一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法

摘要

一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，属于薄膜材料制备技术领域。首先对钛合金基片表面进行抛光，以尽量降低其表面粗糙度；然后采用磁控反应溅射在350～450℃的基片温度范围内预溅射一层氮化铝，待预溅射氮化铝厚度超过钛合金基片的表面粗糙度后，让钛合金基片自然降温至120～150℃并持续溅射沉积氮化铝直至氧化铝薄膜达到需要的厚度。本发明在钛合金基片表面成功制备出C轴取向的氮化铝薄膜，该薄膜具有高度的C轴取向、较低的表面粗糙度和良好的压电效应，从而为氮化铝薄膜型声表面波器件直接做在钛合金材料表面提供了材料基础，并为氮化铝薄膜型声表面波传感器在航空、航天领域的高可靠性应用提供了一种可能。

主权项

一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：对钛合金基片表面进行抛光处理，以尽量降低钛合金基片的表面粗糙度；步骤2：高温阶段氮化铝薄膜的预溅射沉积；采用磁控反应溅射薄膜制备工艺，在钛合金基片表面预溅射沉积氮化铝薄膜；预溅射时，钛合金基片温度控制在350～450℃温度范围内；步骤2：低温阶段氮化铝薄膜的溅射沉积；当步骤2所述高温阶段氮化铝薄膜的预溅射沉积厚度超过步骤1抛光处理后钛合金基片的表面粗糙度后，让钛合金基片自然降温至120～150℃温度范围内，在钛合金基片自然降温及100～150℃温度范围内，持续进行磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜直至氧化铝薄膜达到需要的厚度。