[发明专利]一种LED的GaN外延片表面粗化工艺有效
| 申请号： | 201410168481.7 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103996754B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 章晓霞 | 申请（专利权）人： | 章晓霞 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150‑200W，直流自偏压为100V，使用O2，Cl2和He感应耦合等离子体刻蚀，其中O2，Cl2和He的流量比为2∶2∶1，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.15‑0.18nm；(2)将GaN外延片清洗依次放入CCl4、丙酮各超声清洗1‑2分钟、酒精超声清洗2‑3分钟，去离子水中进行超声清洗2‑3分钟；(3)将GaN外延片使用微波加热预热1分钟使得温度达到200‑220摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH中均匀涂抹在GaN外延片表面，将微波加热使温度稳定在250摄氏度，持续腐蚀1.2分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led gan 外延 表面 化工 | ||
【主权项】：
一种LED的GaN外延片表面粗化工艺，包括以下步骤：(1)将GaN外延片表面进行ICP刻蚀，ICP的功率为150‑200W，直流自偏压为100V，使用O2，Cl2和He感应耦合等离子体刻蚀，其中O2，Cl2和He的流量比为2∶2∶1，使得刻蚀后的GaN表面的粗糙度RMS为0.15‑0.18nm；(2)将GaN外延片清洗：依次放入CCl4、丙酮各超声清洗1‑2分钟、酒精超声清洗2‑3分钟，去离子水中进行超声清洗2‑3分钟；(3)将GaN外延片使用微波加热预热1分钟使得温度达到200‑220摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH均匀涂抹在GaN外延片表面，微波加热使温度稳定在250摄氏度，持续腐蚀1.2分钟；(4)撤去微波加热，自然冷却到室温；(5)用去离子水清洗GaN外延片表面的KOH。
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