[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410167228.X | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097939B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括其包括一半导体层、一源极、一漏极、一绝缘层、及一栅极，所述源极与漏极间隔设置且与所述半导体层电连接。所述栅极通过所述绝缘层与所述半导体层、所述源极及漏极间隔且绝缘设置，其中，所述半导体层包括一碳纳米管复合膜，所述碳纳米管复合膜包括多根碳纳米管和多个半导体颗粒，所述半导体颗粒均匀分布于所述多根碳纳米管中，所述半导体颗粒与碳纳米管相互连接而形成一导电网络，所述半导体颗粒为一半导体片，该半导体片为由多个半导体分子层组成的层状结构，其层数为1~20，所述半导体片的面积为0.1平方微米~5平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米~20纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其包括一半导体层、一源极、一漏极、一绝缘层、及一栅极，所述源极与漏极间隔设置且与所述半导体层电连接，所述栅极通过所述绝缘层与所述半导体层、所述源极及漏极间隔且绝缘设置，其特征在于，所述半导体层包括一碳纳米管复合膜，所述碳纳米管复合膜包括多根碳纳米管和多个半导体颗粒，所述多根碳纳米管是由金属性碳纳米管与半导体性碳纳米管组成的混合型碳纳米管；所述半导体颗粒均匀分布于所述多根碳纳米管中，所述半导体颗粒与碳纳米管相互连接而形成一导电网络，所述半导体颗粒为一半导体片，该半导体片为由多个半导体分子层组成的层状结构，其层数为10～20，所述半导体片的面积为0.1平方微米～5平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米～20纳米。
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