[发明专利]三级变流器半桥

摘要

本发明涉及一种三级变流器半桥，其带有第一基底(2)和与该第一基底(2)分开布置的第二基底(3)，其中，三级变流器半桥(1)的功率半导体开关(T1、T2、T3、T4)和二极管(D1、D2、D3、D4)以如下方式分配到第一基底(2)和第二基底(3)上，即，在三级变流器半桥(1)以高的功率因数进行优选的运行时，在布置在第一基底(2)上的功率半导体开关(T1、T2)和二极管(D1、D3)之间以及在布置在第二基底(3)上的功率半导体开关(T3、T4)和二极管(D2、D4)之间不出现或仅极少出现电流换向。本发明提供一种具有降低的开关过压的三级变流器半桥。

主权项

一种三级变流器半桥，所述三级变流器半桥带有第一基底(2)和与所述第一基底(2)分开布置的第二基底(3)，其中，所述第一基底(2)具有第一绝缘材料体(6a)和布置在所述第一绝缘材料体(6a)上的导电的结构化的第一导电层(7a)，其中，所述三级变流器半桥(1)具有第一串联电路装置(8)，所述第一串联电路装置具有第二功率半导体开关(T2)和与所述第二功率半导体开关(T2)在电路上串联的第三二极管(D3)，其中，第一功率半导体开关(T1)、所述第二功率半导体开关(T2)、第一二极管(D1)和所述第三二极管(D3)布置在所述结构化的第一导电层(7a)上且与所述结构化的第一导电层(7a)连接，其中，所述第二基底(3)具有第二绝缘材料体(6b)和布置在所述第二绝缘材料体(6b)上的导电的结构化的第二导电层(7b)，其中，所述三级变流器半桥(1)具有第二串联电路装置(9)，所述第二串联电路装置具有第三功率半导体开关(T3)和与所述第三功率半导体开关(T3)在电路上串联的第二二极管(D2)，其中，第四功率半导体开关(T4)、所述第三功率半导体开关(T3)、第四二极管(D4)和所述第二二极管(D2)布置在所述结构化的第二导电层(7b)上并与所述结构化的第二导电层(7b)连接，其中，所述第一串联电路装置(8)的输入接口与所述第二串联电路装置(9)的输出接口导电地连接，以及所述第一串联电路装置(8)的输出接口与所述第二串联电路装置(9)的输入接口以及与所述第一功率半导体开关(T1)的第二负载电流接口(E)和所述第四功率半导体开关(T4)的第一负载电流接口(C)导电地连接，其中，所述第一二极管(D1)与所述第一功率半导体开关(T1)在电路上反并联以及所述第四二极管(D4)与所述第四功率半导体开关(T4)在电路上反并联，其中，所述第一串联电路装置(8)的在电路上布置在所述第二功率半导体开关(T2)与所述第三二极管(D3)之间的中间接口(10)与所述第二串联电路装置(9)的在电路上布置在所述第三功率半导体开关(T3)与所述第二二极管(D2)之间的中间接口(11)相互导电地连接，并且/或者，在电路上与所述第二功率半导体开关(T2)反并联的第五二极管(D5)布置在所述结构化的第一导电层(7a)上并与所述结构化的第一导电层(7a)连接，在电路上与所述第三功率半导体开关(T3)反并联的第六二极管(D6)布置在所述结构化的第二导电层(7b)上并与所述结构化的第二导电层(7b)连接。