[发明专利]三级变流器半桥

权利要求书

1.一种三级变流器半桥，所述三级变流器半桥带有第一基底(2)和与所述第一基底(2)分开布置的第二基底(3)，其中，所述第一基底(2)具有第一绝缘材料体(6a)和布置在所述第一绝缘材料体(6a)上的导电的结构化的第一导电层(7a)，其中，所述三级变流器半桥(1)具有第一串联电路装置(8)，所述第一串联电路装置具有第二功率半导体开关(T2)和与所述第二功率半导体开关(T2)在电路上串联的第三二极管(D3)，其中，第一功率半导体开关(T1)、所述第二功率半导体开关(T2)、第一二极管(D1)和所述第三二极管(D3)布置在所述结构化的第一导电层(7a)上且与所述结构化的第一导电层(7a)连接，其中，所述第二基底(3)具有第二绝缘材料体(6b)和布置在所述第二绝缘材料体(6b)上的导电的结构化的第二导电层(7b)，其中，所述三级变流器半桥(1)具有第二串联电路装置(9)，所述第二串联电路装置具有第三功率半导体开关(T3)和与所述第三功率半导体开关(T3)在电路上串联的第二二极管(D2)，其中，第四功率半导体开关(T4)、所述第三功率半导体开关(T3)、第四二极管(D4)和所述第二二极管(D2)布置在所述结构化的第二导电层(7b)上并与所述结构化的第二导电层(7b)连接，其中，所述第一串联电路装置(8)的输入接口与所述第二串联电路装置(9)的输出接口导电地连接，以及所述第一串联电路装置(8)的输出接口与所述第二串联电路装置(9)的输入接口以及与所述第一功率半导体开关(T1)的第二负载电流接口(E)和所述第四功率半导体开关(T4)的第一负载电流接口(C)导电地连接，其中，所述第一二极管(D1)与所述第一功率半导体开关(T1)在电路上反并联以及所述第四二极管(D4)与所述第四功率半导体开关(T4)在电路上反并联，其中，所述第一串联电路装置(8)的在电路上布置在所述第二功率半导体开关(T2)与所述第三二极管(D3)之间的中间接口(10)与所述第二串联电路装置(9)的在电路上布置在所述第三功率半导体开关(T3)与所述第二二极管(D2)之间的中间接口(11)相互导电地连接，并且/或者，在电路上与所述第二功率半导体开关(T2)反并联的第五二极管(D5)布置在所述结构化的第一导电层(7a)上并与所述结构化的第一导电层(7a)连接，在电路上与所述第三功率半导体开关(T3)反并联的第六二极管(D6)布置在所述结构化的第二导电层(7b)上并与所述结构化的第二导电层(7b)连接。

2.按权利要求1所述的三级变流器半桥，其特征在于，所述第一串联电路装置(8)的输入接口以所述第二功率半导体开关(T2)的第一负载电流接口(C)的形式存在以及所述第一串联电路装置(8)的输出接口以所述第三二极管(D3)的阴极的形式存在，其中，所述第二串联电路装置(9)的输入接口以所述第三功率半导体开关(T3)的第一负载电流接口(C)的形式存在以及所述第二串联电路装置(9)的输出接口以所述第二二极管(D2)的阴极的形式存在。

3.按权利要求1所述的三级变流器半桥，其特征在于，所述第一串联电路装置(8)的输入接口以所述第三二极管(D3)的阳极的形式存在以及所述第一串联电路装置(8)的输出接口以所述第二功率半导体开关(T2)的第二负载电流接口(E)的形式存在，其中，所述第二串联电路装置(9)的输入接口以所述第二二极管(D2)的阳极的形式存在以及所述第二串联电路装置的输出接口以所述第三功率半导体开关(T3)的第二负载电流接口(E)的形式存在。