[发明专利]一种沟槽功率器件结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410165169.2 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103956382A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 孙效中;沈志伟;吴江;郑迎新 | 申请（专利权）人： | 常州旺童半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽功率器件结构及其制造方法，其中沟槽功率器件结构，包括有源区和终端两部分结构，有源区最外围一圈沟槽开始直到器件边缘，沟槽设于第一层光刻版上，第二层光刻版上设有LOCOS区域，第二层光刻版上设有接触孔，第四层光刻版上设有源极与栅极；本发明采取沟槽隔离与LOCOS相结合。本发明基于各种终端结构的优点，使得本发明的工艺简单，成本低廉，占用面积非常少且具有很宽的电压适应范围等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽功率器件结构，包括有源区和终端两部分结构，其特征在于，有源区最外围一圈沟槽开始直到器件边缘，沟槽设于第一层光刻版上，第二层光刻版上设有LOCOS区域，第二层光刻版上设有接触孔，第四层光刻版上设有源极与栅极。
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