[发明专利]一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置及其处理方法

摘要

本发明公开了一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置及其处理方法。本发明的处理装置包括：反应室、真空抽气系统、真空度测量系统、供氧系统、电子源电源、加热带、观察窗和比色测温仪。本发明采用反应室连接真空抽气系统、真空度测量系统和供氧系统，能够对氧化环境、真空度、温度和处理时间的精密控制；实现在单晶钨丝的表面形成均匀的氧化锆涂层，显著的降低了单晶钨丝作为发射体的攻函数，从约4.7eV降低到约2.8eV，有利于发射体中电子的场致发射，也降低了发射体尖端需加载的电场强度的要求，减少了发射体尖端放电的危险，通过这种方法制备的场发射电子源的工作时间超过2000小时，有效地延长了场发射电子源的工作寿命。

主权项

一种场发射电子源发射体表面涂层处理装置，其特征在于，所述处理装置包括：反应室(1)、真空抽气系统(2)、真空度测量系统(3)、供氧系统(4)、电子源电源(5)、观察窗(6)和比色测温仪；所述反应室(1)的表面分别通过各自的法兰口连接到真空抽气系统(2)、真空度测量系统(3)和供氧系统(4)；场发射电子源(0)通过电源接入法兰口(50)安装在反应室(1)内，并通过电源接入法兰口(50)经导电引线(52)与反应室外的电子源电源(5)相连接；透明的观察窗(6)通过观察窗法兰口(60)安装在反应室的表面，比色测温仪通过观察窗观察单晶钨丝加热时发光的颜色，通过比色测量出场发射电子源的单晶钨丝在加热时的温度。