[发明专利]一种提高PZT95/5铁电陶瓷介电击穿强度的方法无效
| 申请号： | 201410157942.0 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103951423A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 董显林;王军霞;陈学锋;王根水;聂恒昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/628 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高PZT95/5铁电陶瓷介电击穿强度的方法，所述方法是首先采用液相法使氧化铝均匀分散在PZT95/5粉体中，然后制备成氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷；氧化铝的加入量为PZT95/5粉体质量的0.5～1.0%。通过本发明方法，可使所制备的氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷的介电击穿强度相对于未经氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷的介电击穿强度提高25%，可望提高所得铁电陶瓷在能量转换领域应用时的能量输出能力和工作可靠性，具有应用价值和显著性进步。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 pzt95 陶瓷 击穿 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高PZT95/5铁电陶瓷介电击穿强度的方法，其特征在于：是首先采用液相法使氧化铝均匀分散在PZT95/5粉体中，然后制备成氧化铝包覆的PZT95/5铁电陶瓷；氧化铝的加入量为PZT95/5粉体质量的0.5～1.0%。
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