[发明专利]一种水样中痕量铜离子传感器及构建方法

摘要

本发明公开了一种水样中痕量铜离子传感器及其构建方法，本发明采用自组装方法，将大量植酸钠官能化碳纳米管修饰到ITO电极表面，从而形成碳纳米管交错网状结构，为沉积金属离子提供大量的表面积。同时，暴露在碳纳米管表面的植酸钠，含有大量的磷酸酯基团，容易捕获水样中的金属离子并与之形成络合物，制备电极对铜(Ⅱ)离子有很好的响应，并具有检测限低，灵敏度高，选择性好等优点，是一种优良的检测水样中金属铜离子的传感器。另外本发明制备方法简单，绿色环保，成本低。

主权项

一种水样中痕量铜离子传感器的构建方法，包括以下步骤：(1)称取多壁碳纳米管，加入浓硫酸和浓硝酸体积比是3：1的混酸，超声4～4.5个小时，稀释，过滤，洗涤至中性，干燥即得到活化的多壁碳纳米管；多壁碳纳米管与混酸的用量比为2.5‑6.5g/mL；(2)活化的多壁碳纳米管按照1mg/mL的比例加入到浓度为1.0×10^‑2mol/L的植酸钠溶液中，超声混匀7～8个小时，得到稳定均一的植酸钠官能化多壁碳纳米管悬浮液；(3)将ITO电极清洗活化后，控制ITO导电面积1cm×1cm，其余面积用指甲油涂封，晾干，备用；(4)将已经晾干的ITO电极浸入植酸钠官能化多壁碳纳米管悬浮液中，于4℃冰箱内自组装三个小时，而后，取出，用去离子水清洗，即制得植酸钠官能化碳纳米管修饰ITO电极。