[发明专利]一种水样中痕量铜离子传感器及构建方法有效
| 申请号： | 201410156166.2 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103940882A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨海峰;梁银华 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/36 | 分类号： | G01N27/36;G01N27/26 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 刘懿 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 水样 痕量 离子 传感器 构建 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种水样中痕量铜离子传感器的构建方法，包括以下步骤：
(1)称取多壁碳纳米管，加入浓硫酸和浓硝酸体积比是3：1的混酸，超声4～4.5个小时，稀释，过滤，洗涤至中性，干燥即得到活化的多壁碳纳米管；多壁碳纳米管与混酸的用量比为2.5-6.5g/mL；
(2)活化的多壁碳纳米管按照1mg/mL的比例加入到浓度为1.0×10-2mol/L的植酸钠溶液中，超声混匀7～8个小时，得到稳定均一的植酸钠官能化多壁碳纳米管悬浮液；
(3)将ITO电极清洗活化后，控制ITO导电面积1cm×1cm，其余面积用指甲油涂封，晾干，备用；
(4)将已经晾干的ITO电极浸入植酸钠官能化多壁碳纳米管悬浮液中，于4℃冰箱内自组装三个小时，而后，取出，用去离子水清洗，即制得植酸钠官能化碳纳米管修饰ITO电极。
2.一种水样中痕量铜离子传感器，其特征在于，根据权利要求1所述的方法制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海师范大学，未经上海师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410156166.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
