[发明专利]基于量子阱子带间跃迁的腔致相干效应的双色全光开关

摘要

本发明的基于量子阱子带间跃迁的腔致相干效应的双色全光开关，属于半导体材料技术领域。双色全光开关结构是，在GaAs材料的基底（1）上依次生长有AlAs层（2）、第一势垒层（3）、第一量子阱层（4）、第二势垒层（5）、第二量子阱层（6）、第三势垒层（7）、第三量子阱层（8）、第四势垒层（9）和连续区（10）；以第一势垒层（3）至连续区（10）为一个周期，排列有6～15个周期；然后有覆盖层（11）和空气隔离层（12）。本发明可工作在中远红外波段，作为低能耗、高效率的红外辐射源的完全带隙开关，在卫星探测与通讯方面有应用价值；其结构与材料可人为地选择，并具有易于实现宽波段、微型化和集成化的优点。

主权项

一种基于量子阱子带间跃迁的腔致相干效应的双色全光开关，其特征在于，在GaAs材料的基底（1）上依次生长有AlAs层（2）、第一势垒层（3）、第一量子阱层（4）、第二势垒层（5）、第二量子阱层（6）、第三势垒层（7）、第三量子阱层（8）、第四势垒层（9）和连续区（10）；以第一势垒层（3）至连续区（10）为一个周期，共排列有6～15个周期；然后有覆盖层（11），最外层有空气隔离层（12）；所述的第一势垒层（3）、第二势垒层（5）、第三势垒层（7）、第四势垒层（9）、覆盖层（11）是Al_xGa_1‑xAs，x=0.35～0.4材料的，所述的第一量子阱层（4）、第二量子阱层（6）、连续区（8）是Al_yGa1_‑yAs，_y=0.1～0.2材料的，所述的第三量子阱层（8）是GaAs材料的，所述的空气隔离层（12）是GaAs材料的。