[发明专利]一种应用于低功耗系统的放大器电路无效

专利信息
申请号: 201410150767.2 申请日: 2014-04-16
公开(公告)号: CN103956976A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 黄磊;马杰 申请(专利权)人: 中科芯集成电路股份有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02
代理公司: 江苏英特东华律师事务所 32229 代理人: 周晓东
地址: 214072 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种应用于低功耗系统的放大器电路,包括CMOS晶体管M1、M2、M3、M4,电阻R1、R2、R3、R4,电容C1、C2,以及电流源IDC;M1的源端分别与M2的源端、IDC的上端相连,M1的漏端与M3的源端之间连接有R1,M1的漏端与M3的栅端之间连接有C1;M3的栅端与电源VDD之间连接有R3,M3的漏端与电源VDD相连;M2的漏端与M4的源端之间连接有R2,M2的漏端与M4的栅端之间连接有C2;M4的栅端与电源VDD之间连接有R4,M4的漏端与电源VDD相连;其有益效果是:在一级放大器中既实现了对输入信号的放大又提供了对后级电路驱动的功能,非常适合于低功耗系统中应用。
搜索关键词: 一种 应用于 功耗 系统 放大器 电路
【主权项】:
一种应用于低功耗系统的放大器电路,其特征在于:包括CMOS晶体管M1、M2、M3、M4,电阻R1、R2、R3、R4,电容C1、C2,以及电流源IDC;其中:所述CMOS晶体管M1的源端分别与CMOS晶体管M2的源端、电流源IDC的上端相连,CMOS晶体管M1的漏端与CMOS晶体管M3的源端之间连接有电阻R1, CMOS晶体管M1的漏端与CMOS晶体管M3的栅端之间连接有电容C1;CMOS晶体管M3的栅端与电源VDD之间连接有电阻R3, CMOS晶体管M3的漏端与电源VDD相连;所述CMOS晶体管M2的漏端与CMOS晶体管M4的源端之间连接有电阻R2, CMOS晶体管M2的漏端与CMOS晶体管M4的栅端之间连接有电容C2;CMOS晶体管M4的栅端与电源VDD之间连接有电阻R4, CMOS晶体管M4的漏端与电源VDD相连;所述电流源IDC的下端与地GND相连;所述输入正向信号INP与CMOS晶体管M1的栅端相连,所述输入负向信号INN与CMOS晶体管M2的栅端相连;所述输出正向信号OUTP与CMOS晶体管M4的源端相连,输出负向信号OUTN与CMOS晶体管M3的源端相连。
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