[发明专利]一种应用于低功耗系统的放大器电路无效
申请号: | 201410150767.2 | 申请日: | 2014-04-16 |
公开(公告)号: | CN103956976A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 黄磊;马杰 | 申请(专利权)人: | 中科芯集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人: | 周晓东 |
地址: | 214072 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 功耗 系统 放大器 电路 | ||
1.一种应用于低功耗系统的放大器电路,其特征在于:包括CMOS晶体管M1、M2、M3、M4,电阻R1、R2、R3、R4,电容C1、C2,以及电流源IDC;其中:
所述CMOS晶体管M1的源端分别与CMOS晶体管M2的源端、电流源IDC的上端相连,CMOS晶体管M1的漏端与CMOS晶体管M3的源端之间连接有电阻R1, CMOS晶体管M1的漏端与CMOS晶体管M3的栅端之间连接有电容C1;CMOS晶体管M3的栅端与电源VDD之间连接有电阻R3, CMOS晶体管M3的漏端与电源VDD相连;
所述CMOS晶体管M2的漏端与CMOS晶体管M4的源端之间连接有电阻R2, CMOS晶体管M2的漏端与CMOS晶体管M4的栅端之间连接有电容C2;CMOS晶体管M4的栅端与电源VDD之间连接有电阻R4, CMOS晶体管M4的漏端与电源VDD相连;
所述电流源IDC的下端与地GND相连;
所述输入正向信号INP与CMOS晶体管M1的栅端相连,所述输入负向信号INN与CMOS晶体管M2的栅端相连;所述输出正向信号OUTP与CMOS晶体管M4的源端相连,输出负向信号OUTN与CMOS晶体管M3的源端相连。
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