[发明专利]提高焊接垫性能的工艺在审
申请号: | 201410145731.5 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN103928360A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 刘天建;占琼 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种提高焊接垫性能的工艺,在形成焊接垫之后,对焊接垫进行高温炉管处理之前,先对焊接垫进行预处理,形成预处理钝化层,以保护在长时间等待在高温炉管处理前的焊接垫,并且预处理能够去除残留在焊接垫表面的氟,避免氟在焊接垫上形成不良晶体,造成焊接垫的性能下降,由于形成了预处理钝化层能够保护焊接垫,高温炉管处理之后无需使用酸性后处理,也就避免了对焊接垫造成损害形成缺陷,进一步提高了焊接垫的性能。 | ||
搜索关键词: | 提高 焊接 性能 工艺 | ||
【主权项】:
一种提高焊接垫性能的工艺,所述工艺包括步骤:提供晶圆,所述晶圆表面形成有金属互连线层;在所述金属互连线层上形成焊接垫;对所述焊接垫进行预处理,在所述焊接垫上形成预处理钝化层;对晶圆进行高温炉管处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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