[发明专利]一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法

摘要

本发明涉及一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法，选取一定掺杂浓度的半导体硅，通过在硅晶圆表面使用光刻工艺以及ICP工艺刻蚀，或者化学腐蚀工艺制得周期排列的降低反射率光栅层，光栅层除外的剩余部分为降低透过率的衬底层。此结构在太赫兹波段实现了广角偏振无关的宽频吸收器；所提出的二维光栅结构高掺杂硅衬底吸收器与传统的超材料吸收器相比较，具有吸收频段高，偏振无关，入射角度广等优点；吸收器制作方法，取材广泛，实现简单有效，便于加工，适用范围广；所提出的制作广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器可根据实际应用场合及要求，通过结构参数的调整来实现吸收率、吸收频段、吸收带宽的调节。

主权项

一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法，其特征在于，选取一定掺杂浓度的半导体硅，通过在硅晶圆表面使用光刻工艺以及ICP工艺刻蚀，或者化学腐蚀工艺制得周期排列的光栅层，光栅层除外的剩余部分为衬底层，降低反射率的光栅层的参数为光栅深度、宽度、周期，降低透过率的衬底层的参数为消光系数和厚度，调节光栅层与衬底层参数，使用传统的太赫兹时域光谱系统对制得的广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器进行测试，得到所需吸收频段和吸收带宽的广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器。