[发明专利]基于硅片刻穿的体硅加工工艺有效
| 申请号： | 201410141817.0 | 申请日： | 2014-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103896206A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 涂良成;刘金全;范继;伍文杰;罗俊 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅片 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）在硅片背面镀金属膜；（3）用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；（5）去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。
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