[发明专利]离子注入浓度的校准方法

摘要

本发明揭示了一种离子注入浓度的校准方法。包括获取二次离子质谱的实测曲线；设置离子注入模型，所述模型为两个相互独立的Pearson函数线性相加，并由多个瞬间参数加以限定；分别对所述多个瞬间参数进行调整，使得所述模型与所述实测曲线相吻合，从而获得最佳瞬间参数组。本发明的方法能够准确提取正确校准时离子注入模型的各种瞬间参数，有效的提升生产质量和工艺研发的效率。

主权项

一种离子注入浓度的校准方法，包括：获取二次离子质谱的实测曲线；设置离子注入模型，所述模型为两个相互独立的Pearson函数线性相加，并由多个瞬间参数加以限定；分别对所述多个瞬间参数进行调整，使得所述模型与所述实测曲线相吻合，从而获得最佳瞬间参数组，所述瞬间参数包括：投影射程Rp；标准差stdev；偏度γ，表征离子浓度分布曲线相对于平均值不对称程度的特征数；峰度β，描述分布形态的陡缓程度；对所述多个瞬间参数进行调整包括：所述Rp对应着离子注入浓度的分布曲线的最大值所在的深度，若所述分布曲线的最大值位于所述实测曲线的最大值右侧，则调小Rp，若所述分布曲线的最大值位于所述实测曲线的最大值左侧，则调大Rp；若所述分布曲线的峰值高于所述实测曲线，峰值两侧低于所述实测曲线，则调大stdev；若所述分布曲线的峰值低于所述实测曲线，峰值两侧高于所述实测曲线，则调小stdev；若所述分布曲线相比所述实测曲线朝顺时针偏斜，则调大γ；若所述分布曲线相比所述实测曲线朝逆时针偏斜，则调小γ；若所述分布曲线峰值右侧朝左端远离所述实测曲线，则调大β；若所述分布曲线峰值右侧朝右端远离所述实测曲线，则调小β。