[发明专利]微晶晶玉石瓷砖一次烧成工艺有效

专利信息
申请号: 201410136940.3 申请日: 2014-04-04
公开(公告)号: CN103922712A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 林亮银 申请(专利权)人: 佛山市三水宏源陶瓷企业有限公司
主分类号: C04B35/14 分类号: C04B35/14;C04B35/622;C04B41/86
代理公司: 佛山东平知识产权事务所(普通合伙) 44307 代理人: 詹仲国
地址: 528131 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种微晶晶玉石瓷砖一次烧成工艺,包括以下步骤:1)按重量百分比取68-75%的SiO2,17-21%的AL2O3,0-0.5%的Fe2O3,0-0.3%的TiO2,0-0.5%的CaO,0.5-1.0%的MgO,1-2%的K2O,2-3%的Na2O,4.0-4.5%的IL,混合成陶瓷砖坯料;2)将上述陶瓷坯料压制成通体砖坯;3)按重量百分比取45-48%的SiO2,18-21%的AL2O3,0-0.5%的Li2O,10-13%的CaO,4.0-7.0%的MgO,0.5-2.0%的K2O,0.5-2.0%的Na2O,2.0-5.0%的B2O3,5.0-9.0%的ZrO2,2.0-4.0%的BaO混合成釉料底料,并将该釉料底料制成熔块A铺设在桶体砖坯上表面;4)按重量百分比取40-44%的SiO2,16-19%的AL2O3,0-0.5%的Li2O,13-16%的CaO,5.0-9.0%的MgO,0.5-3.0%的K2O,0.5-3.0%的Na2O,3.0-6.0%的B2O3,3.0-6.0%的ZrO2,3.0-6.0%的BaO混合成釉料底料,并将该釉料底料支撑熔块B铺设在熔块A上表面;5)将表面上铺设有熔块A和熔块B的通体砖坯放进烧成炉中一次烧制成型。
搜索关键词: 微晶晶 玉石 瓷砖 一次 烧成 工艺
【主权项】:
微晶晶玉石瓷砖一次烧成工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)按重量百分比取68‑75%的SiO2,17‑21%的AL2O3,0‑0.5%的Fe2O3,0‑0.3%的TiO2,0‑0.5%的CaO,0.5‑1.0%的MgO,1‑2%的K2O,2‑3%的Na2O,4.0‑4.5%的IL,混合成陶瓷砖坯料;所述IL为消失率,是指材料在生产过程中消失的部分,包括高温燃烧过程中消失的水分、有机物;2)将上述陶瓷坯料压制成通体砖坯;3)按重量百分比取45‑48%的SiO2,18‑21%的AL2O3,0‑0.5%的Li2O,10‑13%的CaO,4.0‑7.0%的MgO,0.5‑2.0%的K2O,0.5‑2.0%的Na2O,2.0‑5.0%的B2O3,5.0‑9.0%的ZrO2,2.0‑4.0%的BaO混合成釉料底料,并将该釉料底料制成熔块A铺设在桶体砖坯上表面;4)按重量百分比取40‑44%的SiO2,16‑19%的AL2O3,0‑0.5%的Li2O,13‑16%的CaO,5.0‑9.0%的MgO,0.5‑3.0%的K2O,0.5‑3.0%的Na2O,3.0‑6.0%的B2O3,3.0‑6.0%的ZrO2,3.0‑6.0%的BaO混合成釉料底料,并将该釉料底料支撑熔块B铺设在熔块A上表面;5)将表面上铺设有熔块A和熔块B的通体砖坯放进烧成炉中烧制,烧制方法为:先在60分钟内将烧成炉内的温度缓慢上升到1050℃,然后在45分钟内将烧成炉内的温度均匀上升到1220‑1240℃,接着在10分钟内将烧成炉内的温度骤降至650℃,最后在45分钟内将烧成炉冷却。
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