[发明专利]一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法

摘要

一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。

主权项

一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，其特征在于，它包括以下步骤：步骤一、采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间为10分钟～5小时，氢气浓度范围为0.01%‑200%；步骤二、将步骤一中的双极型器件放置在玻璃管中，利用机械泵抽真空，直到玻璃管内的真空度为等于或小于0.0001Pa为止，然后向玻璃管中注入氢气，直到玻璃管内的氢气浓度为步骤一获得的氢气浓度，密封玻璃管，直到玻璃管内的氢气浸泡时间达到步骤一获得的氢气浸泡时间为止；步骤三、将密封的玻璃管放入炉温为100～200℃的退火炉中进行加热，保温0.5小时～5小时；步骤四、采用Co‑60辐照源在高剂量率条件下辐照步骤三中密封的玻璃管，达到设定的双极型器件辐照吸收总剂量，记录该双极型器件的辐照时间。